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紅外顯微鏡觀察硅芯片

分類:行業動態 發布時間:2024-11-15 2125次瀏覽

紅外顯微鏡利用紅外光作為像的形成者,其波長范圍通常在 800nm 到 20μm 之間 。對于硅芯片而言,紅外光能夠在一定程度上穿透硅材料,從而可以對芯片內部的結構和信息進行觀察。

那么,使用紅外顯微鏡觀察硅芯片都有哪些優勢呢?

無損檢測:

硅芯片是一種高精度、高集成度的微電子器件,常規的檢測方法可能會對其造成損壞或影響其性能。而紅外顯微鏡可以在不破壞芯片結構和性能的前提下,對芯片內部進行觀察和分析,這對于芯片的質量控制、失效分析以及研發等環節都具有重要意義。

2紅外顯微鏡-失效分析.jpg

穿透能力強:

紅外光能夠穿透一定厚度的硅材料,從而可以觀察到芯片內部的電路結構、雜質分布、缺陷等信息,有助于檢測芯片中的隱藏缺陷和問題,如短路、開路、金屬化層缺陷等。

紅外顯微鏡.jpg

高分辨率成像:

匯光科技的紅外顯微鏡配備了高分辨率的成像系統、高靈敏度的探測器以及高質量的光學部件,能夠提供亞微米級甚至更高分辨率的圖像,從而可以清晰地觀察到芯片內部的微小結構和細節特征。

紅外顯微鏡.jpg

可觀察多層結構:

對于多層結構的硅芯片,紅外顯微鏡可以通過調整成像參數和分析方法,分別對不同層的結構和信息進行觀察和分析,有助于了解芯片的整體結構和性能。


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