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南京3D 超景深顯微鏡如何賦能半導體晶圓檢測?

分類:行業動態 發布時間:2025-02-28 564次瀏覽

3D 超景深顯微鏡憑借三維可視化、高精度測量、智能分析三大核心能力,已成為半導體行業從研發到量產的全流程質量保障工具。在先進封裝(如 CoWoS)、第三代半導體(GaN/SiC)等前沿領域,其技術優勢尤為顯著,助力行業邁向更高精度與可靠性。

在半導體制造中,晶圓表面缺陷檢測是決定產品良率的關鍵環節。傳統顯微鏡受景深限制,難以清晰呈現復雜結構(如 TSV 通孔、3D 封裝凸塊)的立體形貌。匯光3D 超景深顯微鏡通過多焦面融合技術,實現0.1μm 級分辨率 + 50mm 景深范圍,可一次性清晰觀測晶圓表面至亞表面 300μm 深度的缺陷。

超景深顯微鏡3D形貌圖.png

3D 超景深顯微鏡的核心應用

晶圓表面缺陷篩查:

檢測顆粒污染(精度達 0.3μm)、劃痕、氧化層不均勻性

3D 重建技術量化凹坑深度,輔助工藝參數優化

先進封裝質量評估:

測量 BGA 焊球高度差(精度 ±0.5μm)、共面性

分析倒裝芯片凸塊(Micro-Bump)形貌一致性

無損內部檢測:

結合紅外光穿透硅層,定位芯片內部電路短路點

評估晶圓鍵合(Wafer Bonding)界面空洞率

 超景深顯微鏡檢測芯片.png


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