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武漢半導體膜厚儀
武漢半導體反射膜厚儀 HSR-C

分類(lei):半導體膜厚儀 發布時間:2024-09-25 4417次瀏覽

本設備利用(yong)反射(she)干涉的(de)原理進(jin)行無損測(ce)量(liang)(liang),測(ce)量(liang)(liang)吸收或者透明襯底上薄膜的(de)厚度(du)以及(ji)折射(she)率,同時提(ti)供樣品反射(she)率,測(ce)量(liang)(liang)精度(du)達到(dao)埃級的(de)分辨率,測(ce)量(liang)(liang)迅速(su),操作簡單,界面友(you)好,測(ce)量(liang)(liang)時間不到(dao) 1 秒。可應用(yong)于光阻(zu)、半(ban)導(dao)體材料、高分子材料等薄膜層的(de)厚度(du)測(ce)量(liang)(liang),在半(ban)導(dao)體、太陽能、液(ye)晶面板和光學行業以及(ji)科研院所(suo)和高校(xiao)都得(de)到(dao)了廣泛的(de)應用(yong)和極大的(de)好評。

武漢半導體反射膜厚儀 HSR-C

本設(she)備利用反射干涉的(de)(de)原理進(jin)行(xing)無損測(ce)(ce)(ce)量,測(ce)(ce)(ce)量吸(xi)收(shou)或(huo)者(zhe)透明襯底上薄(bo)膜(mo)的(de)(de)厚度以(yi)及折射率,同(tong)時提供樣品反射率,測(ce)(ce)(ce)量精度達到(dao)埃(ai)級的(de)(de)分辨率,測(ce)(ce)(ce)量迅速,操作簡(jian)單,界面(mian)友好,測(ce)(ce)(ce)量時間不到(dao) 1 秒。可應用于(yu)光阻(zu)、半導(dao)體材(cai)料、高分子材(cai)料等薄(bo)膜(mo)層的(de)(de)厚度測(ce)(ce)(ce)量,在半導(dao)體、太陽(yang)能、液晶面(mian)板(ban)和光學行(xing)業以(yi)及科研院所和高校都得到(dao)了廣泛的(de)(de)應用和極大的(de)(de)好評。

產品詳情

反射膜厚儀 HSR-C 技(ji)術參數


1、HSR-C 規格:

1) 基本(ben)功能:獲取薄膜厚度值以及(ji) R、N/K 等光譜

2) 光譜分(fen)析范(fan)圍:380nm-1000nm

3) 測量光斑大小(xiao):標準(zhun) 1.5mm,較小(xiao) 0.5mm

4) 膜(mo)厚重(zhong)復性測(ce)量精(jing)度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣(yang)件,100 次重(zhong)復測(ce)量)

5) 膜厚精度(du):0.2%或(huo) 2nm 之間較大者

6) 膜厚測量范圍:15nm-70μm

7) 測量 n 和(he) k 值厚(hou)度要(yao)求(qiu):100nm 以(yi)上

8) 單點(dian)測量時(shi)間:≤ 1s

9) 光源:標(biao)準(zhun)鹵燈光源

10) 分(fen)析(xi)軟件:多達(da)數(shu)百種的(de)光(guang)學(xue)材料(liao)(liao)常數(shu)數(shu)據(ju)庫(ku),并支持(chi)用戶自定義光(guang)學(xue)材料(liao)(liao)庫(ku);提供多層各(ge)向同(tong)性(xing)光(guang)學(xue)薄膜建模仿真與分(fen)析(xi)功能


半導體反射膜厚儀 HSR-C.jpg


2、樣品臺規格:

1) 基板(ban)尺寸:更大支持樣件尺寸到 150*150mm(可升級定制不同尺寸樣品臺(tai))


3、測控與分析軟件

1) 光譜測量能力:反射(she)率光譜測量

2) 數據分析能(neng)力:膜厚分析能(neng)力,光學(xue)常數(折射率和消光系數)

3) 支持(chi)常用光學(xue)常數模(mo)(mo)型(xing)以及常用振子模(mo)(mo)型(xing)(柯(ke)西模(mo)(mo)型(xing)、洛倫茲模(mo)(mo)型(xing)、高斯(si)模(mo)(mo)型(xing)等);

4) 支持用戶自定義(yi),可授(shou)權離線分析軟(ruan)件模擬(ni)實際測量,支持 Windows 10 操作系統


4、設備驗收標準(按參數規格測試(shi))

1) 光譜分析波段(duan):380~1000nm

2) 測量光斑大小:標準 1.5mm,較小 0.5mm

3) 膜厚(hou)重(zhong)復性測(ce)量精度:0.02nm(100nm 硅基(ji) SiO2 樣件(jian),100 次重(zhong)復測(ce)量)

4) 膜厚精度:0.2%或 2nm 之間較大者

5) 膜厚測量范圍:15nm-70μm


5、測控與分析計(ji)算機

1) 操(cao)作系統(tong):WIN10 64 位

2) CPU 處理器:Intel 酷睿(rui) I5

3) 內存:≥4G

4) 硬盤:≥500G

5) 顯示(shi)器:≥19 寸


6、配件

1) 標準 SiO2/Si 標樣(yang)

2) 標準安裝(zhuang)工(gong)具一套


7、環境要求

1) 承(cheng)載(zai)(zai)臺:尺寸>1.0m(長)×0.7m(寬),承(cheng)載(zai)(zai)能力大于 20Kg

2) 使用溫度范(fan)圍:20 ~ 26 ℃

3) 相對濕(shi)度:35% ~ 60% RH

4) 空氣壓力范圍:750~1014 mbar

5) 潔凈(jing)度: Class 1000


8、能源要求

1) 供電電源電壓(ya):220V AC

2) 正(zheng)常頻(pin)率范圍:49-51Hz

3) 相電流:有效(xiao)值(zhi)小于 0.5A(220V AC)

4) 功率:小于(yu) 110 W


9、涂裝與表面處理

1) 涂裝顏色:以黑(hei)白灰(hui)色為(wei)主

2) 表面處理:鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等


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