分類：半導體(ti)膜(mo)厚(hou)儀(yi) 發布時間：2024-09-25 4408次瀏覽(lan)
本設備利用反射(she)(she)干(gan)涉的(de)原(yuan)理進(jin)行(xing)無損測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)，測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)吸收或者透明(ming)襯底上(shang)薄膜的(de)厚(hou)度以及折射(she)(she)率(lv)，同時(shi)提(ti)供樣品反射(she)(she)率(lv)，測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)精度達到(dao)埃(ai)級的(de)分辨率(lv)，測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)迅(xun)速，操(cao)作簡單(dan)，界面友好(hao)，測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)時(shi)間不(bu)到(dao) 1 秒(miao)。可應用于光(guang)阻、半導(dao)(dao)體材料、高(gao)分子材料等薄膜層的(de)厚(hou)度測(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)，在半導(dao)(dao)體、太陽(yang)能、液晶面板和(he)光(guang)學行(xing)業以及科(ke)研院所(suo)和(he)高(gao)校都得到(dao)了廣泛(fan)的(de)應用和(he)極(ji)大的(de)好(hao)評。
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本設備(bei)利用反射(she)(she)干涉的(de)(de)原理進(jin)行(xing)無(wu)損測(ce)(ce)量，測(ce)(ce)量吸收或者透(tou)明襯(chen)底上薄(bo)膜(mo)的(de)(de)厚(hou)度以(yi)及(ji)折射(she)(she)率，同時(shi)提供樣品(pin)反射(she)(she)率，測(ce)(ce)量精度達到(dao)埃級的(de)(de)分(fen)(fen)辨(bian)率，測(ce)(ce)量迅速，操作簡單(dan)，界面(mian)友好，測(ce)(ce)量時(shi)間不(bu)到(dao) 1 秒。可(ke)應(ying)用于光阻、半(ban)導體材料(liao)、高分(fen)(fen)子材料(liao)等(deng)薄(bo)膜(mo)層的(de)(de)厚(hou)度測(ce)(ce)量，在半(ban)導體、太陽(yang)能、液晶面(mian)板和(he)(he)光學行(xing)業(ye)以(yi)及(ji)科(ke)研院所和(he)(he)高校都得到(dao)了(le)廣泛的(de)(de)應(ying)用和(he)(he)極大的(de)(de)好評。
產品詳情
反射膜厚(hou)儀(yi) HSR-C 技術參數(shu)
1、HSR-C 規(gui)格(ge)：
1) 基(ji)本功能：獲取薄膜厚度(du)值以及(ji) R、N/K 等光譜
2) 光譜分(fen)析范圍：380nm-1000nm
3) 測(ce)量光斑大小(xiao)：標(biao)準 1.5mm，較小(xiao) 0.5mm
4) 膜厚(hou)重(zhong)復性測(ce)量精度：0.02nm（100nm 硅基(ji) SiO2 樣件，100 次(ci)重(zhong)復測(ce)量）
5) 膜厚精度：0.2%或 2nm 之(zhi)間較大者(zhe)
6) 膜厚(hou)測量范(fan)圍：15nm-70μm
7) 測量 n 和 k 值厚度要(yao)求：100nm 以上
8) 單點測量時間：≤ 1s
9) 光(guang)源(yuan)：標準鹵燈光(guang)源(yuan)
10) 分析(xi)軟件：多達數(shu)百種的光學材(cai)料常數(shu)數(shu)據庫，并支持用戶自(zi)定義(yi)光學材(cai)料庫；提供多層各向同性光學薄膜建(jian)模(mo)仿真與分析(xi)功能
2、樣品臺規格：
1) 基板尺寸(cun)：更大支持(chi)樣件尺寸(cun)到 150*150mm(可升級定制不(bu)同尺寸(cun)樣品臺)
3、測控與分析軟件
1) 光譜(pu)測量能(neng)力：反射率光譜(pu)測量
2) 數據分析能力：膜厚分析能力，光學常(chang)數（折(zhe)射率和消光系數）
3) 支持(chi)常(chang)(chang)用光學(xue)常(chang)(chang)數模(mo)型(xing)(xing)以及常(chang)(chang)用振子模(mo)型(xing)(xing)（柯西模(mo)型(xing)(xing)、洛(luo)倫茲模(mo)型(xing)(xing)、高斯(si)模(mo)型(xing)(xing)等）；
4) 支(zhi)持用戶自(zi)定(ding)義，可授權離線分析軟件模(mo)擬實際測(ce)量，支(zhi)持 Windows 10 操作系(xi)統
4、設(she)備驗(yan)收標準（按參數規(gui)格測(ce)試）
1) 光譜分(fen)析(xi)波(bo)段：380~1000nm
2) 測(ce)量(liang)光斑大小：標準(zhun) 1.5mm，較小 0.5mm
3) 膜厚重復(fu)性(xing)測量精(jing)度(du)：0.02nm（100nm 硅基 SiO2 樣件，100 次重復(fu)測量）
4) 膜厚精度(du)：0.2%或 2nm 之間較大(da)者(zhe)
5) 膜厚測量范圍：15nm-70μm
5、測控與(yu)分(fen)析計算機
1) 操作(zuo)系統：WIN10 64 位
2) CPU 處(chu)理器：Intel 酷睿(rui) I5
3) 內存：≥4G
4) 硬盤：≥500G
5) 顯(xian)示器：≥19 寸
6、配件
1) 標(biao)準(zhun) SiO2/Si 標(biao)樣
2) 標(biao)準安裝工具一套
7、環境要求
1) 承載(zai)(zai)臺(tai)：尺寸>1.0m（長）×0.7m（寬），承載(zai)(zai)能力大于 20Kg
2) 使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃
3) 相對(dui)濕(shi)度：35% ~ 60% RH
4) 空氣壓力范圍：750~1014 mbar
5) 潔(jie)凈度： Class 1000
8、能源要求
1) 供(gong)電(dian)電(dian)源電(dian)壓(ya)：220V AC
2) 正常頻率范圍(wei)：49-51Hz
3) 相電(dian)流：有(you)效值小(xiao)于 0.5A（220V AC）
4) 功率：小于 110 W
9、涂裝與表面處理
1) 涂裝顏(yan)色：以黑(hei)白灰色為主
2) 表(biao)面處(chu)理：鍍(du)化學鎳、陽極處(chu)理、烤漆等
