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南京半導體膜厚儀
南京半導體顯微膜厚儀 HSR-M

分類:半導體膜厚儀 發布時間:2024-09-25 5258次瀏覽

本設備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,搭配顯微成像系統,配置兼容六寸的手動樣品臺,可對待測樣品表面的某些微小限定區域進行測量測量。

南京半導體顯微膜厚儀 HSR-M

本設備利用反射干涉的原理進行無損測量,測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率,同時提供樣品反射率,測量精度達到埃級的分辨率,測量迅速,操作簡單,界面友好,搭配顯微成像系統,配置兼容六寸的手動樣品臺,可對待測樣品表面的某些微小限定區域進行測量測量。

產品詳情

設備精度高達 1 埃,測量穩定性高達 0.02nm,測量時間只需一到二秒。可應用于光阻、半導體材料、高分子材料等薄膜層的厚度測量,在半導體、太陽能、液晶面板和光學行業以及科研院所和高校都得到了廣泛的應用和極大的好評。


測量系統規格


1、膜厚測頭指標:

1) 基本功能:獲取薄膜厚度值以及 R、N/K 等光譜

2) *光譜范圍:380-900nm

3) 光譜分辨率:小于 1nm(波長間隔)

4) 物鏡標準倍率切換規格:5×、10×、20×、50×(光纖孔徑:200um)

5) 光斑大小:4um(50X 物鏡)、10um(20X 物鏡)、20um(10X 物鏡)、40um(5X 物鏡)可選(根據配置的物鏡切換光斑大小)

6) *膜厚量測范圍與倍率關系:20nm-50μm(5X)

20nm~40μm(10X)

20nm~20μm(20X)

20nm~10μm(50X)

7) 測量精度:0.2%和 1nm 較大者(不同倍率一致);

8) 配置 CCD 鏡頭,可定位識別待測區域

9) *重復性精度:0.02nm(100nm 硅基 SiO2 樣件,100 次重復測量)

10) *厚度擬合算法:至少擁有 Exact,Robust 和 FFT 三種厚度擬合算法

11) 測量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上

12) 單點測量時間:≤1 秒

13) 光源:鎢鹵燈(2000 小時壽命)

14) 基板尺寸:更大支持樣件尺寸到 150*150mm 


半導體顯微膜厚儀 HSR-M.png


2、樣品臺規格:

1) 可測晶圓大小:4 寸&6 寸

2) 載物臺移動范圍:不小于 150mm? 150mm

3) 手動放片,測量點數跟位置在 Recipe 中可根據需要編輯


3、測控與分析軟件

1) 光譜測量能力:反射率光譜測量

2) 數據分析能力:膜厚分析能力,光學常數(折射率和消光系數)

3) 分析軟件:擁有不小于 100 種不同材料的數據庫,可自由導入新材料文件;

可進行不同鍍膜材料的建模,模擬鍍膜膜系的反射率曲線;軟件界面人性化

設計,測試數據能夠方便的儲存和導出;免費提供針對不同材質測試的 Recipe

程式,并可以新增新材質的 recipe;具有膜厚自校準標定功能,配備相應標

準器;至少 5 個軟件授權許可 License 支持用戶自定義,軟件不限制拷貝數量,

支持 windows 10 操作系統


4、測控與分析計算機

1) 操作系統:WIN10 64 位

2) CPU 處理器:Intel 酷睿處理器

3) 內存:≥4G

4) 硬盤:≥500G

5) 顯示器:≥19 寸


5、配件

1) 標準 SiO2/Si 標樣

2) 標準安裝工具一套


6、環境與能源要求

1) 使用溫度范圍:0 oC - 40 oC

2) 相對濕度:35% ~ 60% RH

3) 空氣壓力范圍:750~1014 mbar

4) 供電電源電壓:220V AC

5) 正常頻率范圍:49-51Hz

6) 相電流:有效值小于 1A(220V AC)


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