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重慶半導體膜厚儀
重慶半導體顯微膜厚儀 HSR-M

分類:半導體膜厚儀(yi) 發布時(shi)間:2024-09-25 4606次瀏覽

本設備利用反射(she)干(gan)涉的(de)原理(li)進行無損(sun)測(ce)(ce)量,測(ce)(ce)量吸(xi)收或者透明襯(chen)底上(shang)薄(bo)膜的(de)厚度以及折射(she)率(lv),同時提供(gong)樣品(pin)反射(she)率(lv),測(ce)(ce)量精(jing)度達(da)到埃級的(de)分辨率(lv),測(ce)(ce)量迅速,操作簡單,界面(mian)友好,搭配顯(xian)微(wei)成像系統,配置兼容(rong)六寸的(de)手動樣品(pin)臺,可對待(dai)測(ce)(ce)樣品(pin)表面(mian)的(de)某些(xie)微(wei)小限定區域(yu)進行測(ce)(ce)量測(ce)(ce)量。

重慶半導體顯微膜厚儀 HSR-M

本設備利用反射(she)干(gan)涉的(de)原(yuan)理(li)進行無損測(ce)(ce)量(liang),測(ce)(ce)量(liang)吸收或者透明(ming)襯底(di)上薄膜的(de)厚(hou)度以(yi)及折(zhe)射(she)率,同時提供樣(yang)(yang)品反射(she)率,測(ce)(ce)量(liang)精度達(da)到埃級的(de)分辨率,測(ce)(ce)量(liang)迅速,操作簡單,界面(mian)(mian)友好,搭(da)配(pei)顯微(wei)成像系統,配(pei)置兼容六寸的(de)手動(dong)樣(yang)(yang)品臺,可對待測(ce)(ce)樣(yang)(yang)品表面(mian)(mian)的(de)某些微(wei)小限定區域進行測(ce)(ce)量(liang)測(ce)(ce)量(liang)。

產品詳情

設備(bei)精度高達 1 埃,測(ce)(ce)量(liang)(liang)穩定性高達 0.02nm,測(ce)(ce)量(liang)(liang)時間只需一到二秒。可(ke)應(ying)用于(yu)光(guang)阻、半導(dao)體(ti)材料、高分子材料等薄膜層的厚度測(ce)(ce)量(liang)(liang),在半導(dao)體(ti)、太陽能、液晶(jing)面板和(he)光(guang)學行業以及(ji)科(ke)研院(yuan)所和(he)高校都(dou)得到了廣泛的應(ying)用和(he)極大的好(hao)評(ping)。


測量系統規格


1、膜厚測頭指標:

1) 基本功(gong)能(neng):獲取薄膜厚度(du)值以及(ji) R、N/K 等光譜

2) *光譜(pu)范圍:380-900nm

3) 光譜分辨率(lv):小于 1nm(波長(chang)間隔)

4) 物鏡(jing)標準(zhun)倍率切(qie)換(huan)規格:5×、10×、20×、50×(光纖孔(kong)徑:200um)

5) 光斑大小(xiao):4um(50X 物鏡(jing))、10um(20X 物鏡(jing))、20um(10X 物鏡(jing))、40um(5X 物鏡(jing))可選(根(gen)據(ju)配置的物鏡(jing)切換光斑大小(xiao))

6) *膜厚量測范圍與(yu)倍(bei)率(lv)關系:20nm-50μm(5X)

20nm~40μm(10X)

20nm~20μm(20X)

20nm~10μm(50X)

7) 測量精度:0.2%和(he) 1nm 較大者(zhe)(不(bu)同倍率一(yi)致);

8) 配置 CCD 鏡頭(tou),可定位識別待測區域

9) *重復性精度:0.02nm(100nm 硅(gui)基(ji) SiO2 樣件,100 次重復測(ce)量)

10) *厚度(du)擬(ni)合算法:至少(shao)擁有 Exact,Robust 和 FFT 三種厚度(du)擬(ni)合算法

11) 測量 n 和 k 值厚度要求:100nm 以上

12) 單點測量時間(jian):≤1 秒(miao)

13) 光源:鎢鹵燈(2000 小(xiao)時壽命)

14) 基(ji)板尺寸(cun):更大支持樣件尺寸(cun)到 150*150mm 


半導體顯微膜厚儀 HSR-M.png


2、樣品臺規格:

1) 可測晶圓大(da)小:4 寸&6 寸

2) 載物(wu)臺移(yi)動范圍:不小于 150mm? 150mm

3) 手動(dong)放片,測(ce)量點數跟位(wei)置在 Recipe 中可根(gen)據需要編輯


3、測控與分析軟件

1) 光(guang)譜(pu)測量(liang)能力:反射(she)率(lv)光(guang)譜(pu)測量(liang)

2) 數(shu)據(ju)分(fen)析能力:膜厚分(fen)析能力,光(guang)(guang)學常數(shu)(折(zhe)射率和(he)消(xiao)光(guang)(guang)系數(shu))

3) 分析軟(ruan)件(jian):擁有不小于(yu) 100 種不同(tong)材料(liao)的(de)數據庫(ku),可自由(you)導入新材料(liao)文件(jian);

可進行不同(tong)鍍膜(mo)材(cai)料的(de)建(jian)模(mo),模(mo)擬鍍膜(mo)膜(mo)系(xi)的(de)反射率曲(qu)線;軟(ruan)件(jian)界面人性化

設(she)計(ji),測試數(shu)據能夠方便的儲(chu)存和導出;免費提(ti)供針對不同材質測試的 Recipe

程式,并可以(yi)新增新材(cai)質(zhi)的(de) recipe;具有膜厚(hou)自校準(zhun)標(biao)定功能,配備相應標(biao)

準(zhun)器;至少 5 個(ge)軟件授權許可(ke) License 支持用戶自定義,軟件不(bu)限制拷(kao)貝(bei)數量,

支持 windows 10 操作(zuo)系統(tong)


4、測控(kong)與(yu)分析計算機(ji)

1) 操作系統:WIN10 64 位

2) CPU 處理器(qi):Intel 酷睿處理器(qi)

3) 內存:≥4G

4) 硬盤:≥500G

5) 顯示器:≥19 寸


5、配件

1) 標準(zhun) SiO2/Si 標樣

2) 標準安裝工具一套


6、環境與能源要求

1) 使用溫度范(fan)圍:0 oC - 40 oC

2) 相對濕(shi)度:35% ~ 60% RH

3) 空氣(qi)壓力范(fan)圍:750~1014 mbar

4) 供電電源電壓:220V AC

5) 正(zheng)常頻率范圍:49-51Hz

6) 相電流:有效值(zhi)小于(yu) 1A(220V AC)


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